叶志镇
1955年4月出生，浙江温州苍南人。
宽禁带半导体光电薄膜材料专家。1982年毕业于浙江大学电机系，1984年、1987年在浙江大学光仪系获硕士、博士学位。1988年进入浙大硅材料国家重点实验室工作，1990-1992年留学美国麻省理工学院，2006年入选首批浙大求是特聘教授，2008年评为浙江省特级专家。曾经担任浙江大学硅材料国家重点实验主任、材料与化工学院副院长、浙江大学材料科学与工程学系主任。现任浙大材料科学与工程学院教授、学院学术委员会主任。2019年当选为中国科学院院士。
主要从事宽禁带半导体氧化锌等无机光电薄膜材料及关键技术研究。在p型掺杂技术与电发光工作取得系统性创新成果，创建的p型二元共掺杂理论获国际广泛采用；发展的n型高导电调控技术，突破了无铟透明导电材料瓶颈，应用于LED芯片产业，企业经济效益显著。曾荣获国家自然科学二等奖1项，省科学技术一等奖3项等奖励；相关授权发明专利120项。