杨德仁

发布时间:2017-11-29作者:浏览次数:3682

   杨德仁




       1964年4月出生,江苏扬州人。

       半导体材料专家。1985年毕业于浙江大学金属材料专业,1991年获半导体材料工学博士学位。1997年起担任浙江大学教授,2000年获聘教育部长江学者计划特聘教授,曾在日本、德国和瑞典访问工作,2017年当选中国科学院院士。

       长期从事半导体硅材料研究,包括超大规模集成电路用硅单晶材料、太阳能光伏硅材料、硅基光电子材料及器件、纳米硅及纳米半导体材料。提出了掺氮控制极大规模集成电路用直拉硅单晶微缺陷的思路,系统解决了氮关缺陷的基础科学问题;提出了微量掺锗控制晶格畸变的思路,发明了微量掺锗硅晶体生长系列技术,系统解决了相关硅晶体的基础科学问题;研究了纳米硅等的制备、结构和性能,成功制备出纳米硅管等新型纳米半导体材料。